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IRF9530
IRF9530 Transistors P-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)100 V(BR)GSS (V)20 I(D) Max. (A)12# I(DM) Max. (A) Pulsed I(D)8.2# @Temp (øC)100# IDM Max (@25øC Amb)48# @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)88# Minimum Operating Temp (øC)-55õ Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case1.7 Thermal Resistance Junc-Amb.62 V(GS)th Max. (V)4 V(GS)th (V) (Min)2 @(VDS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition)250u I(DSS) Max. (A)500u @V(DS) (V) (Test Condition)80 @Temp (øC) (Test Condition)150õ I(GSS) Max. (A)100n
IR
International Rectifier
U.S.A
パワー・マネジメント向けの半導体製品を中心とする電気機器の製造販売やソリューションを提供する。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
