HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

JAN2N428

製品説明
仕様・特性

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N696S 2N697 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Total Power Dissipation @ TA = 250C (1) @ TC = 250C (2) Operating & Storage Junction Temperature Range JAN Symbol Value Units VCBO VEBO 60 5.0 0.6 2.0 -65 to +200 Vdc Vdc W W 0 C PT TJ, Tstg THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Case 1) Derate linearly 4.0 mW/0C for TA > 250C 2) Derate linearly 13.3 mW/0C for TC > 250C Symbol RθJC Max. 0.075 Unit C/mW 0 TO-5* *See appendix A for package outline ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted) Characteristics Symbol Min. Max. Unit OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage RBE = 10 Ω, IC = 100 mAdc Collector-Base Cutoff Current VCB = 100 Vdc VCB = 30 Vdc Emitter-Base Cutoff Current VEB = 7.0 Vdc V(BR)CER Vdc 40 ICBO 10 0.1 IEBO 10 µAdc µAdc ON CHARACTERISTICS (3) Forward-Current Transfer Ratio IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc 2N696,s 2N697,s 2N696,s 2N697,s Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc Base-Emitter Saturation Voltage IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803 hFE VCE(sat) VBE(sat) 20 40 12.5 20.0 60 120 0.3 1.5 1.3 Vdc Vdc 120101 Page 1 of 2

ブランド

TI

会社名

Texas Instruments Incorporated

本社国名

U.S.A

事業概要

世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。

供給状況

 
Not pic File
お求め商品JAN2N428は、クレバーテックの営業STAFFが市場確認を行いメールにて結果を御報告致します。

「見積依頼」をクリックして どうぞお進み下さい。

ご注文方法

弊社からの見積回答メールの返信又はFAXにてお願いします。


お取引内容はこちら

0.0623710155