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J401
J401 Transistors Dual N-Channel JFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V) V(BR)GSS (V)50Í I(D) Max. (A) I(G) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)350m Maximum Operating Temp (øC)125’ I(GSS) Max. (A)25p @V(GS) (V) (Test Condition) V(GS)off Min. (V) I(DSS) Max. (A) V(GS)off Max. (V)2.5 @Vgs (test) (V) @V(DS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Min. (A)10m I(DSS) Max. (A) @V(DS) (V) (Test Condition) r(DS)on Max. (Ohms) g(fs) Min. (S) Trans. conduct.2.0m g(fs) Max; (S) Trans. conduct;7.0m
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
