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部品型式

MJB18004D2T4

製品説明
仕様・特性

ON Semiconductort High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network MJB18004D2T4 POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1000 VOLTS 75 WATTS D2PAK For Surface Mount The MJB18004D2T4 is state–of–art High Speed High gain Bipolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features: MARKING DIAGRAM • Low Base Drive Requirement • High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA • Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the YWW MJB 18004D2 H2BIP Structure which Minimizes the Spread • Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode • Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) • “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads It’s characteristics make it also suitable for PFC application. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2001 June, 2001 – Rev. 0 1 D2PAK CASE 418B STYLE 1 Y WW = Year = Work Week Publication Order Number: MJB18004D2T4/D

ブランド

MOT

現況

1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。

会社名

ON Semiconductor

本社国名

U.S.A

事業概要

オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。

供給状況

 
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