HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

MJD31CT4

製品説明
仕様・特性

MOTOROLA Order this document by MJD31C/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJD31C PNP MJD32C Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Motorola Preferred Devices Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • • • • SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 100 VOLTS 15 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series CASE 369A–13 Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Max Unit VCEO 100 Vdc Collector–Base Voltage VCB 100 Vdc Emitter–Base Voltage VEB 5 Vdc Collector Current — Continuous Peak IC 3 5 Adc Base Current IB 1 Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD 15 0.12 Watts W/_C Total Power Dissipation* @ TA = 25_C Derate above 25_C PD 1.56 0.012 Watts W/_C TJ, Tstg – 65 to + 150 _C Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 8.3 _C/W Thermal Resistance, Junction to Ambient* RθJA 80 _C/W Lead Temperature for Soldering Purposes TL 260 _C Collector–Emitter Voltage Operating and Storage Junction Temperature Range CASE 369–07 MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS 0.165 4.191 Symbol 0.190 4.826 Rating 0.118 3.0 Characteristic 0.07 1.8 THERMAL CHARACTERISTICS 0.243 6.172 0.063 1.6 * These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended. inches mm Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. © Motorola, Inc. 1998 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 1

ブランド

STM

会社名

STMicroelectronics NV

本社国名

スイス

事業概要

半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。

供給状況

 
Not pic File
お探しのMJD31CT4は、クレバーテックの営業STAFFが市場調査を行いメールにて結果を御報告致します。

「見積依頼」をクリックして どうぞお問合せ下さい。

送料

お買い上げ小計が1万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。
1万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。
(送料は地域により異なります。)


お取引内容はこちら

0.0614621639