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部品型式

PZT2222AT1

製品説明
仕様・特性

MOTOROLA Order this document by PZT2222AT1/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor PZT2222AT1 Motorola Preferred Device This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. SOT-223 PACKAGE NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT • PNP Complement is PZT2907AT1 • The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. • SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 12 mm tape and reel Use PZT2222AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel. Use PZT2222AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel. 4 COLLECTOR 2, 4 1 BASE 1 2 3 CASE 318E-04, STYLE 1 TO-261AA 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage Rating VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc Emitter-Base Voltage (Open Collector) VEBO 6.0 Vdc Collector Current IC 600 mAdc Total Power Dissipation up to TA = 25°C(1) PD 1.5 Watts Storage Temperature Range° Tstg – 65 to +150 °C TJ 150 °C RθJA 83.3 °C/W TL 260 10 °C Sec Junction Temperature° THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance from Junction to Ambient Lead Temperature for Soldering, 0.0625″ from case Time in Solder Bath DEVICE MARKING P1F ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Min Max Unit Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0) V(BR)CEO 40 — Vdc Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 10 µAdc, IE = 0) V(BR)CBO °75° °—° Vdc Emitter-Base Breakdown Voltage (IE = 10 µAdc, IC = 0) V(BR)EBO 6.0 — Vdc IBEX — 20 nAdc Collector-Emitter Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VBE = – 3.0 Vdc) ICEX — 10 nAdc Emitter-Base Cutoff Current (VEB = 3.0 Vdc, IC = 0) IEBO — 100 nAdc Characteristic OFF CHARACTERISTICS Base-Emitter Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VBE = – 3.0 Vdc) 1. Device mounted on an epoxy printed circuit board 1.575 inches x 1.575 inches x 0.059 inches; mounting pad for the collector lead min. 0.93 inches2. Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. REV 2 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data © Motorola, Inc. 1996 1

ブランド

MOT

現況

1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。

会社名

ON Semiconductor

本社国名

U.S.A

事業概要

オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。

供給状況

 
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