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部品型式

SI6803DQ-T1

製品説明
仕様・特性

Si6803DQ Vishay Siliconix N- and P-Channel Half-Bridge, Reduced Qg, Fast Switching PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel rDS(on) (W) 0.095 @ VGS = 4.5 V 20 ID (A) "2.5 0.145 @ VGS = 3.0 V –20 "2.3 0.165 @ VGS = –3.0 V P-Channel "2.0 0.110 @ VGS = –4.5 V "1.9 S2 G2 TSSOP-8 8 D D 7 S2 D 3 6 S2 4 5 G2 D 1 S1 2 S1 G1 D Si6803DQ G1 Top View S1 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol N-Channel Drain-Source Voltage VDS 20 Gate-Source Voltage VGS Continuous Drain Current (TJ = 150_C)a TA = 25_C TA = 70_C Pulsed Drain Current ID IS TA = 25_C Maximum Power Dissipationa TA = 70_C Operating Junction and Storage Temperature Range Unit –20 V "12 "2.5 "2.3 "2.0 "1.9 "10 IDM Continuous Source Current (Diode Conduction)a P-Channel 1.0 A –1.0 1.0 PD W 0.64 TJ, Tstg –55 to 150 _C Symbol N- or P-Channel Unit RthJA 125 _C/W THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Notes a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec. Document Number: 70769 S-56944—Rev. B, 23-Nov-98 www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600 2-1

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