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部品型式

IMBT2222A

製品説明
仕様・特性

IMBT2222A Transistors Si NPN LP HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)40 V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)310m Maximum Operating Temp (øC)150 I(CBO) Max. (A)10n @V(CBO) (V) (Test Condition)60 h(FE) Min. Current gain.100 h(FE) Max. Current gain.300 @I(C) (A) (Test Condition)150m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq300M @I(C) (A) (Test Condition)20m @V(CE) (V) (Test Condition)20 V(CE)sat Max. (V)1.0 @I(C) (A) (Test Condition)500m @I(B) (A) (Test Condition)50m h(fe) Min. SS Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition)

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