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部品型式

FES8DT

製品説明
仕様・特性

FES8DT Diodes General Purpose Fast Rectifier Military/High-RelN I(O) Max.(A) Output Current8.0 V(RRM)(V) Rep.Pk.Rev. Voltage200 t(rr) Max.(s) Rev.Rec. Time35n @I(F) (A) (Test Condition)0.5 @I(R) (A) (Test Condition)1.0 V(FM) Max.(V) Forward Voltage950m @I(FM) (A) (Test Condition)8.0 @V(RM) (V) (Test Condition) I(RM) Max.(A) Reverse Current10u @V(R) (V)(Test Condition)200 I(RM) Max.(A) Pk. Rev. Current500u @V(R) (V) (Test Condition) @Temp. (øC) (Test Condition)100# Semiconductor MaterialSilicon Maximum Operating Temp (øC)150õ Package StyleTO-220

ブランド

GI

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