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BAS32L
BAS32L High-speed switching diode Rev. 7 — 20 January 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Single high-speed switching diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in a small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted Device (SMD) package. 1.2 Features and benefits High switching speed: trr ≤ 4 ns Reverse voltage: VR ≤ 75 V Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 100 V Repetitive peak forward current: IFRM ≤ 450 mA Small hermetically sealed glass SMD package 1.3 Applications High-speed switching Reverse polarity protection 1.4 Quick reference data Table 1. Symbol Quick reference data Parameter IF forward voltage trr reverse recovery time [2] Unit - - 200 mA - 450 mA - 75 V - IF = 100 mA Max - reverse voltage VF Typ - repetitive peak forward current VR Min [1] forward current IFRM Conditions - 1000 mV - - 4 ns [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA.
PHILIPS
2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月 社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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