製品説明 仕様・特性: HZ11A1L Diodes General-Purpose Reference/Regulator Diode Military/High-RelN V(Z) Nom.(V) Reference Voltage9.7 @I(Z) (A) (Test Condition)500u Tolerance (%)2 P(D) Max. (W)400m Z(z) Max. (ê) Dyn. Imped.80 Temp Coef pp/10k4.6 Maximum Operating Temp (øC)175õ Package StyleDO-35 Mounting StyleT

現況: NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

事業概要: 2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

データシート

型式	数量	D/C・lead	備考	選択
HZ11A1L	15個	N/A	ROHS

HZ11A1Lを取扱っています。

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HZ11A1N	HZ11A1-N-E	HZ11A1RE-E	HZ11A1TA	HZ11A1TA-E
HZ11A1TA-E-Q	HZ11A1TA-N-E	HZ11A1TA-N-E-Q	HZ11A1-TA-N-E-Q9V7	HZ11A1TA-N-E-Q-UGB6
HZ11A1TD	HZ11A2	HZ11A291V-101V	HZ11A297-101V	HZ11A29V
HZ11A2-E	HZ11A2E97-101V	HZ11A2JTA-E	HZ11A2L-E	HZ11A2LTA-E
HZ11A2LTD	HZ11A2LTD-E	HZ11A2N	HZ11A2TA	HZ11A2TA-E
HZ11A2TA-E-Q	HZ11A2TA-EROHS	HZ11A2TA-EROHSRENESAS	HZ11A2TA-N-E	HZ11A2TA-N-E-Q
HZ11A2TA-N-E-Q,DO-35	HZ11A2TA-N-E-Q-UGB6	HZ11A2TD	HZ11A2TD12W26MM	HZ11A2TD-E
HZ11A2TD-Q	HZ11A3	HZ11A3-E	HZ11A3LTD-E	HZ11A3TA
HZ11A3TA-99V103V05W	HZ11A3-TA-E	HZ11A3TA-E-Q	HZ11A3TA-E-Q72Q5	HZ11A3TA-N-E
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HZ11A1L HITACHI

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