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部品型式

2SC2532

製品説明
仕様・特性

MCC TM Micro Commercial Components   omponents 20736 Marilla Street Chatsworth    !"# $ %    !"# 2SC2532 Features • NPN Silicon Epitaxial Transistors High hFE: hFE(1)=5000 (Min.) (IC=10mA) hFE(2)=10000 (Min.) (IC=100mA) Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1 Maximum Ratings Symbol V CEO V CBO V EBO IC IB PC TJ TSTG Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector power dissipation Junction Temperature Storage Temperature Rating 40 40 10 300 60 150 -55 to +150 -55 to +150 SOT-23 Unit V V V mA mA mW O C O C A D C C B B F E MAX 3.04 2.64 1.40 1.03 2.05 .60 .100 1.12 .180 .51 NOTE E H G J K DIMENSIONS Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified Symbol Parameter Min Typ Max Units --- --- 0.1 uAdc --- --- 0.1 uAdc OFF CHARACTERISTICS ICBO IEBO Collector Cutoff Current (VCB=40Vdc,IE =0) Emitter Cutoff Current (VEB =8.0Vdc, IC=0) ON CHARACTERISTICS hFE(1) hFE(2) V CE(sat) V BE DC Current Gain (IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc) DC Current Gain (IC=100mAdc, V CE=2.0Vdc) Collector Saturation Voltage (IC=300mAdc, IB =0.3mAdc) Base Emitter Voltage (VCB =2.0Vdc, IC=100mAdc) 5000 --- --- 10000 --- --- DIM A B C D E F G H J K INCHES MIN .110 .083 .047 .035 .070 .018 .0005 .035 .003 .015 .031 .800 --- 0.9 1.3 Vdc --- 1.25 1.6 MM MIN 2.80 2.10 1.20 .89 1.78 .45 .013 .89 .085 .37 Suggested Solder Pad Layout --- --- MAX .120 .098 .055 .041 .081 .024 .0039 .044 .007 .020 .035 .900 Vdc .079 2.000 inches mm .037 .950 .037 .950 www.mccsemi.com Revision: 4 1 of 3 2008/01/01

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
Not pic File
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2SC2563O 2SC2563TOSH 2SC2564 2SC2564-O 2SC2564-Y
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