6A05 ... 6A10
6A05 ... 6A10
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-12-09
Nominal Current
Nennstrom
±0.2
8.8 ±0.2
62.5 ±0.5
Ø 8.8
Type
Ø 1.3 ±0.05
6A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8.8 x 8.8 [mm]
R-6 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.65 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
6A05
50
50
6A1
100
100
6A2
200
200
6A4
400
400
6A6
600
600
6A8
800
800
6A10
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
6 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
44 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
220/250 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
24.2 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 9,5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 9,5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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