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部品型式

2SD2655WM-WS

製品説明
仕様・特性

2SD2655 Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0810-0200 (Previous ADE-208-1388A) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features • • • • • Small size package: MPAK (SC–59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) Complementary pair with 2SB1691 Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 1. Emitter 2. Base 3. Collector 3 1 2 Note: Marking is “WM-“. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Collector to Base Voltage VCBO Collector to emitter voltage VCEO Emitter to base voltage VEBO Collector current IC Collector peak current ic(peak) Collector power dissipation PC Junction temperature Tj Storage temperature Tstg Note: *When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm) Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5 Ratings 60 50 6 1 2 800* 150 −55 to +150 Unit V V V A A mW °C °C

ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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