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部品型式

K4H560838D-GCB0

製品説明
仕様・特性

256Mb DDR SDRAM Key Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 (clock) -. Burst length (2, 4, 8) -. Burst type (sequential & interleave) • All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK) • Data I/O transactions on both edges of data strobe • Edge aligned data output, center aligned data input • LDM,UDM/DM for write masking only • Auto & Self refresh • 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh) • Maximum burst refresh cycle : 8 • 60 Ball FBGA package ORDERING INFORMATION Part No. Org. K4H560438D-GC(L)B3 K4H560438D-GC(L)A2 Interface Package SSTL2 60 ball FBGA SSTL2 60 ball FBGA SSTL2 60 ball FBGA B3(DDR333@CL=2.5) 64M x 4 K4H560438D-GC(L)B0 A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) K4H560838D-GC(L)B3 K4H560838D-GC(L)A2 Max Freq. B3(DDR333@CL=2.5) 32M x 8 A2(DDR266@CL=2) K4H560838D-GC(L)B0 B0(DDR266@CL=2.5) K4H561638D-GC(L)B3 B3(DDR333@CL=2.5) K4H561638D-GC(L)A2 16M x 16 K4H561638D-GC(L)B0 A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Operating Frequencies - B3(DDR333) - A2(DDR266A) - B0(DDR266B) Speed @CL2 133MHz 133MHz 100MHz Speed @CL2.5 166MHz 133MHz 133MHz *CL : Cas Latency - 1 - Rev. 2.2 Mar. ’03

ブランド

SAMSUNG

会社名

Samsung Electronics Co., Ltd

本社国名

韓国

事業概要

DRAM製品、モバイル機器の製造販売メーカー

供給状況

 
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