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部品型式

BYW51-200

製品説明
仕様・特性

BYW51/F/G/FP/R-200 ® HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS IF(AV) VRRM 200 V Tj (max) 150 °C VF (max) 0.85 V trr (max) A1 2 x 10 A 25 ns K A2 A2 K A1 TO-220FPAB BYW51FP-200 FEATURES AND BENEFITS SUITED FOR SMPS VERY LOW FORWARD LOSSES NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY INSULATED PACKAGES (ISOWATT220AB / TO-220FP) : Insulation voltage = 2000 V DC Capacitance = 12 pF s s uc d s s A2 s (s) A1 2 te le D PAK BYW51G-200 so Ob - ct u od Pr e A2 TO-220AB BYW51-200 K DESCRIPTION Dual center tap rectifier suited for Switched Mode Power Supplies and high frequency DC to DC converters. Packaged in TO-220AB, ISOWATT220AB, TO-220FP, D2PAK or I2PAK, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling and polarity protection applications. s) t( K A1 ro P A2 A1 K ISOWATT220AB BYW51F-200 A2 K A1 I2PAK BYW51R-200 ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode) Symbol Parameter Value Unit 200 V 20 A Average forward current TO-220AB / D PAK Tc=120°C Per diode δ = 0.5 I2PAK Per device 10 A ISOWATT220AB Per diode 10 Per device 20 Per diode 10 let o VRRM Repetitive peak reverse voltage IF(RMS) RMS forward current bs O IF(AV) 2 TO-220FPAB IFSM Surge non repetitive forward current Tstg Storage temperature range Tj Maximum operating junction temperature August 2002 - Ed: 3E Tc=95°C Tc=85°C Per device tp=10ms sinusoidal 20 20 100 A - 65 to + 150 °C 150 °C 1/9

ブランド

IDT

会社名

Integrated Device Technology, Inc.

本社国名

U.S.A

事業概要

通信・コンピュータ・一般向け機器などで使用する低消費電力で高性能なアナログ-デジタル混在半導体部品の設計と製造を行っている。主にOEM製品を扱っている。 RF(無線)、高性能タイミング、メモリーインタフェース、リアルタイムインターコネクト、オプティカルインターコネクト、ワイヤレス給電、スマートセンサーを製造するメーカー

供給状況

 
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0.0644419193