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BDT61C
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistors BDT61/A/B/C DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C ·Complement to Type BDT60/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE BDT61 VCBO Collector-Base Voltage 60 BDT61A 80 scs .i w 100 120 w w BDT61 VEBO 60 BDT61A 80 BDT61B 100 BDT61C Collector-Emitter Voltage .cn mi e V BDT61B BDT61C VCEO UNIT 120 V Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 4 A IB Base Current 0.1 A PC Collector Power Dissipation Ta=25℃ Collector Power Dissipation TC=25℃ B Tj Tstg Junction Temperature Storage Ttemperature Range 2 W 50 150 ℃ -65~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 2.5 ℃/W Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Ambient 62.5 ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn
TI
Texas Instruments Incorporated
U.S.A
世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。
宅配業者の代金引換又は商品到着後一週間以内の銀行振込となります。
