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部品型式

2N1234

製品説明
仕様・特性

2N1234 Transistors Si PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)110 V(BR)CBO (V)110 I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)400m Maximum Operating Temp (øC)160õ I(CBO) Max. (A)100n @V(CBO) (V) (Test Condition)90 V(CE)sat Max. (V).20 @I(C) (A) (Test Condition)10m @I(B) (A) (Test Condition)2.0m h(FE) Min. Current gain.14 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq800k¦ @I(C) (A) (Test Condition)1.0m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 C(obo) (Max) (F)95p @V(CB) (V) (Test Condition)5.0 @Freq. (Hz) (Test Condition)140k

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