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2N2326
2n2322 to 2n2326 SILICON THYRISTORS All-diffused PNPN thyristors designed for grating operation in mA/µA signal or detection circuits Compliance to RoHS. MAXIMUM RATINGS (*) TJ=125°C unless otherwise noted, RGK=1000Ω Symbol VRRM(REP) VRSM(NONREP) IT(RMS) ITSM Ratings 2N2322 Peak reverse blocking voltage (*) Non-repetitive peak blocking reverse voltage (t<5.0 ms) Forward Current RMS (all conduction angles) Peak Surge Current (One-Half Cycle, 60Hz) No Repetition Until Thermal Equilibrium is Restored. 2N2323 2N2324 2N2325 2N2326 Unit 25 50 100 150 200 V 40 75 150 225 300 V 1.6 A 15 A PGM Peak Gate Power – Forward 0.1 W PG(AV) Average Gate Power Forward 0.01 W IGM Peak Gate Current – Forward 0.1 A VGFM Peak Gate Voltage - Forward 6.0 V VGRM Peak Gate Voltage - Reverse 6.0 V TJ Operating Junction Temperature Range -65 to +125 TSTG Storage Temperature Range -65 to +150 12/11/2012 °C COMSET SEMICONDUCTORS 1|3
TI
Texas Instruments Incorporated
U.S.A
世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。
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