製品説明 仕様・特性: INCHANGE Semiconductor Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU608D DESCRIPTION ·High Voltage: VCEV= 400V(Min) ·Fast Switching Speed: tf= 0.5μs(Max) ·Low Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 6A APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEV Collector-Emitter Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 7 A ICM Collector Current-Peak 10 A IB Base Current 4 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 90 W TJ Junction Temperature 150 ℃ -65~150 ℃ B Tstg Storage Temperature Range isc Website：www.iscsemi.cn

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