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2N5641
2N5641 Transistors Si NPN Power HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)35 V(BR)CBO (V)65 I(C) Max. (A)1.0 Absolute Max. Power Diss. (W)15 Maximum Operating Temp (øC)200þ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition)30 h(FE) Min. Current gain.5.0 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)100m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq300M @I(C) (A) (Test Condition)100m @V(CE) (V) (Test Condition)10 V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) Package StyleStX-8 Mounting StyleT Pinout Equivalence Code4-28
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
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