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部品型式

RB081L-20

製品説明
仕様・特性

Data Sheet Shottky barrier diode RB081L-20 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 2.0 2.0 2.6±0.2 ② 3) High reliability. 0.1±0.02 　　　 0.1 5.0±0.3 9 ① 4.5±0.2 3 1.2±0.3 4.2 Features 1) Small power mold type. (PMDS) 2) Low VF, Low IR. PMDS Construction Silicon epitaxial planar 2.0±0.2 1.5±0.2 Structure ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② Manufacuture Date Taping specifications (Unit : mm) 2.0±0.05 0.3 φ1.55±0.05 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1 　 0.05 9.5±0.1 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak (60Hz・1cyc) Junction temperature Storage temperature Limits 25 20 5 70 125 40 to 125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V A A °C °C (*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol VF Min. Typ. Max. Unit Forward voltage - - 0.45 V IF=5.0A Reverse current IR - - 700 μA VR=20V www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Conditions 2011.04 - Rev.B

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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