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部品型式

BDX65B

製品説明
仕様・特性

BDX65B Transistors NPN Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)100è V(BR)CBO (V)120 I(C) Max. (A)12 Absolute Max. Power Diss. (W)117’ Maximum Operating Temp (øC)200õ I(CBO) Max. (A)400u @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.1.0k h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq7.0M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time.1.0u® t(r) Max. (s) Rise time15n t(on) Max. (s) On time.

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