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2N5657
2N5657 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)350 V(BR)CBO (V)375 I(C) Max. (A)500m Absolute Max. Power Diss. (W)20# Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)10u @V(CBO) (V) (Test Condition)375 V(CE)sat Max. (V)10 @I(C) (A) (Test Condition)500m @I(B) (A) (Test Condition)100m h(FE) Min. Current gain.30 h(FE) Max. Current gain.250 @I(C) (A) (Test Condition)100m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq10M @I(C) (A) (Test Condition)50m @V(CE) (V) (Test Condition)10 t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
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