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BD332
BD332 Transistors PNP Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)60 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)6.0 Absolute Max. Power Diss. (W)60’ Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)100u @V(CBO) (V) (Test Condition)60 h(FE) Min. Current gain.750 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq10M @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 V(CE)sat Max. (V)2.0 @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @I(B) (A) (Test Condition)12m t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.2.0u
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
世界的な半導体サプライヤで、エネルギー効率、コネクテッド・デバイス、セキュリティ、ヘルスケアの4つの世界的なメガトレンドに対応し、高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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