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RB225T-60
Data Sheet Schottky barrier diode RB225T-60 Structure 4.5±0.3 0.1 2.8±0.2 0.1 10.0±0.3 0.1 ec N ew om m D es en ig de ns d f Features 1) Cathode common type. (TO-220) 2) Low IR 3) High reliability or Applications Dimensions (Unit : mm) Switching power supply 1.2 8.0±0.2 12.0±0.2 13.5MIN Construction Silicon epitaxial planar 5.0±0.2 ① 15.0±0.4 0.2 8.0 (1) (2) (3) 1.3 0.8 (1) (2) (3) 0.7±0.1 0.05 2.6±0.5 ROHM : TO220FN ① Manufacture Date Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Limits Symbol 60 VRM Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) 60 VR 30 Average rectified forward current(*1) Io 100 IFSM Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1) Junction temperature 150 Tj Storage temperature 40 to 150 Tstg (*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=108C ot R Unit V V A A Electrical characteristic (Ta=25C) Parameter Symbol VF Reverse characteristics Thermal impedance IR - - 600 μA jc - - 1.75 C/W N Forward characteristics www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Min. - 1/3 Typ. - C C Max. 0.63 Unit V Conditions IF=15A VR=60V junction to case 2011.04 - Rev.C
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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