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部品型式

2SK389901-ZK-E1-AZ

製品説明
仕様・特性

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding. Renesas Electronics website: http://www.renesas.com April 1st, 2010 Renesas Electronics Corporation Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com) Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry. DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK4075B SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4075B is N-channel MOS FET designed for high current switching applications. ORDERING INFORMATION PART NUMBER LEAD PLATING 2SK4075B-ZK-E1-AY PACKING Pure Sn (Tin) Tape TO-252 (MP-3ZK) 2500 p/reel 2SK4075B-ZK-E2-AY PACKAGE typ. 0.27 g FEATURES (TO-252) • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) RDS(on)2 = 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 13 A) • Low Ciss: Ciss = 2230 pF TYP. • Logic level drive type ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 40 V Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V Drain Current (DC) (TC = 25°C) ID(DC) ±50 A ID(pulse) ±120 A Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT1 36 W Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT2 1.0 W Channel Temperature Tch 150 °C °C Drain Current (pulse) Note1 Storage Temperature Tstg –55 to +150 Single Avalanche Current Note2 IAS 20.8 A Single Avalanche Energy Note2 EAS 43 mJ Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1% 2. Starting Tch = 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH THERMAL RESISTANCE Channel to Case Thermal Resistance Rth(ch-C) 3.47 °C/W Channel to Ambient Thermal Resistance Rth(ch-A) 125 °C/W The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics sales representative for availability and additional information. Document No. D20258EJ1V0DS00 (1st edition) Date Published March 2010 NS Printed in Japan 2010

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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