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1SS133T-72
1SS133 Diodes Switching diode 1SS133 Applications High speed switching External dimensions (Unit : mm) CATHODE BAND (YELLOW) φ0.40.1 Features 1) Glass sealed envelope. (MSD) 2) High reliability. 291 2.70.3 291 φ1.80.2 ROHM : MSD JEDEC : DO-34 Construction Silicon epitaxial planar Taping specifications (Unit : mm) Symbol BROWN A H2 BLUE T-72 Ａ E Standard dimension value(mm) T-77 52.4±1.5 +0.4 0 26.0 T-72 5.0±0.5 T-77 5.0±0.3 T-72 C 1.0 max. T-77 T-72 D 0 T-77 T-72 1/2A±1.2 E T-77 1/2A±0.4 T-72 0.7 max. Ｆ T-77 0.2 max. T-72 H1 6.0±0.5 T-77 T-72 H2 5.0±0.5 T-77 T-72 1.5 max. |L1-L2| T-77 0.4 max. ＊H1(6mm)：BROWN B B C L1 L2 F D H1 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Forward voltage (repetitive peak) Average rectified forward current Surge current (1s) Power dissipation Junction temperature Storage temperature Limits 90 80 400 130 600 300 175 -65 to 175 Symbol VRM VR IFM Io Isurge P Tj Tstg Unit V V mA mA mA mW ℃ ℃ Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminal Reverse recovery time Symbol VF IR Ct Min. - Typ. - Max. 1.2 0.5 2 Unit V µA pF Trr - - 4.0 ns Conditions IF=100mA VR=80V VR=0.5V , f=1MHz VR=6V,IF=10mA,RL=50Ω,Irr=1/10 IR Rev.C 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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