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部品型式

M48Z35AV-10MH1E

製品説明
仕様・特性

M48Z35AV 5.0 V or 3.3 V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM Not recommended for new design Features ■ Integrated, ultra low power SRAM, power-fail control circuit, and battery ■ READ cycle time equals WRITE cycle time ■ Battery low flag (BOK) ■ Automatic power-fail chip deselect and WRITE protection ■ WRITE protect voltage: (VPFD = power-fail deselect voltage) – M48Z35AV: 2.7 V ≤ VPFD ≤ 3.0 V ■ Self-contained battery in the CAPHAT™ DIP package ■ Packaging includes a 28-lead SOIC and SNAPHAT® top (to be ordered separately) ■ Pin and function compatible with JEDEC standard 32 Kbit x 8 SRAMs ■ SOIC package provides direct connection for a SNAPHAT® top which contains the battery ■ (s) ct 28 1 )(s Pr e let o SNAPHAT® battery bs O ct u od RoHS compliant – Lead-free second level interconnect Pr e du o PCDIP28 Battery CAPHAT™ 28 1 SOH28 let o bs O June 2011 Doc ID 6784 Rev 9 This is information on a product still in production but not recommended for new designs. 1/25 www.st.com 1

ブランド

STM

会社名

STMicroelectronics NV

本社国名

スイス

事業概要

半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。

供給状況

 
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