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MG50G1BL3
MG50G1BL3 Transistors Darlington Independent Power Module Circuits Per Package1 Isolated Case (Y/N)Yes V(BR)CEO (V)450ö V(BR)CBO (V)600 I(C) Max. (A)50 Absolute Max. Power Diss. (W)300 Maximum Operating Temp (øC)150õ h(FE) Min. Current gain.100 @I(C) (A) (Test Condition)50 @VCE (test)5.0 V(CE)sat Max. (V)2.0 @I(C) (A) (Test Condition)50 @I(B) (A) (Test Condition)1.0 t(r) Max. (s) Rise time t(f) Max. (s) Fall time.2.0u Package StyleM:HL043HD5.2 Pinout Equivalence Code3-164 Ckt. (Pinout) NumberTR00300164 DescriptionViso:2.5kV(RMS)
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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