面実装デバイス 単体型
Rectifier Diode
Surface Mounting Device Single Diode
■外観図 OUTLINE
DE5VE40
Unit : mm
Weight : 0.326g typ.)
(
Package:E-pack
400V 5A
①④
特長
• SMD
• 静電気耐性に優れている
• 小型大電流容量
④
品名略号
Type No.
5VE4
ロッ
ト記号
(例)
Date code
• SMD
• High ESD Capability
• High Io Rating・Small-PKG
③
2.65
6.6
Feature
②
N.C.
79
01
管理番号
(例)
Control No.
9.5
②
①
③
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
項 目
Item
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
DE5VE40
単位
Unit
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
400
V
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
静電気耐性
Electrostatic Discharge Capability
熱抵抗
Thermal Resistance
*1:IEC-61000-4-2規定に準拠
It is based on IEC-61000-4-2.
144
(J534-1)
VRM
50Hz 正弦波,抵抗負荷,Tc=130℃
50Hz sine wave, Resistance load, Tc=130℃
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
5
A
80
A
It
1ms≦t<10ms,Tc = 25℃
32
A2s
VF
IF = 5A,
IO
IFSM
2
IR
VESD
θjc
パルス測定
Pulse measurement
VR = 400V, パルス測定
Pulse measurement
*1
C = 150pF, R = 150Ω, 極性±,気中放電
Polarity±, Aerial discharge
接合部・ケース間
Junction to Case
MAX
1
V
MAX
10
μA
TYP
30
kV
4
℃/W
MAX