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部品型式

MWI225-12E9

製品説明
仕様・特性

MWI 225-12 E9 IGBT Modules Sixpack IC80 = 250 A VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.1 V NPT3 IGBT 2 4 6 15 20 25 16 17 28 21 22 26 27 11/12 29 13 14 9/10 18 19 7/8 23 24 1 3 5 See outline drawing for pin arrangement Features IGBTs Conditions Maximum Ratings VCES TVJ = 25°C to 125°C 1200 V ± 20 A A u V 355 250 VGES TC = 25°C TC = 80°C RBSOA RG = 5 Ω; TVJ = 125°C Clamped inductive load; L = 100 µH tSC (SCSOA) VCE = 900 V; VGE = ±15 V; RG = 5 Ω TVJ = 125°C; non-repetitive; VCEmax < VCES Ptot TC = 25°C Symbol Conditions -o IC25 IC80 A 10 µs 1.4 kW e ICM = 500 VCEK < VCES s Characteristic Values IC = 225 A; VGE = 15 V VGE(th) IC = 8 mA; VGE = VCE ICES VCE = VCES; VGE = 0 V IGES typ. max. 2.1 2.4 2.5 2.9 V V 6.5 V 1 8 400 td(on) tr td(off) tf Eon Eoff Cies QGon p • space savings • reduced protection circuits • package designed for wave soldering nA 4.5 TVJ = 25°C TVJ = 125°C Advantages mA mA VCE = 0 V; VGE = ± 20 V TVJ = 25°C TVJ = 125°C h VCE(sat) a (TVJ = 25°C, unless otherwise specified) min. • NPT3 IGBT technology • low saturation voltage • low switching losses • square RBSOA, no latch up • high short circuit capability • positive temperature coefficient for easy parallelling • MOS input, voltage controlled • ultra fast free wheeling diodes • solderable pins for PCB mounting • package with copper base plate t Symbol 1 Inductive load, TVJ = 125°C VCE = 600 V; IC = 200 A VGE = ±15 V; RG = 3.6 Ω 180 100 650 120 13 21 14 1.5 • AC motor control • AC servo and robot drives • power supplies ns ns ns ns mJ mJ VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 300 A Typical Applications nF µC RthJC IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. © 2010 IXYS All rights reserved 0.09 K/W 20100421a 1-5

ブランド

IXYS

会社名

IXYS Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、 1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB(アセア・ブラウンボベリ)のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております。 近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社(MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。

供給状況

 
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