HOME＞在庫検索＞在庫情報
YG802C06R
YG802C06R (60V / 10A TO-22OF15) Outline Drawings SCHOTTKY BARRIER DIODE 10±0.5 ø3.2 4.5±0.2 +0.2 -0.1 2.7±0.2 1.2±0.2 13Min 3.7±0.2 Features 15±0.3 6.3 2.7±0.2 +0.2 -0 0.7±0.2 2.54±0.2 Low VF Super high speed switching. High reliability by planer design. 0.6 2.7±0.2 JEDEC EIAJ SC-67 Applications Connection Diagram High speed power switching. 2 Maximum Ratings and Characteristics 1 3 Absolute Maximum Ratings Item Symbol Repetitive peak reverse voltage VRRM Repetitive peak surge reverse voltage VRSM Isolating voltage Viso Average output current IO Suege current IFSM Operating junction temperature Storage temperature Conditions Terminals to Case, AC. 1min. duty=1/2, Tc=118°C Square wave V 60 V 1500 V 10* A 80 A Tj -40 to +150 °C Tstg -40 to +150 °C Sine wave 10ms Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified ) Item Unit 60 tw=500ns, duty=1/40 Rating Symbol Conditions * Out put current of centertap full wave connection. Max. Unit Forward voltage drop ** VF IF=4.0A 0.58 V Reverse current IR VR=VRRM 5.0 mA Rth(j-c) Junction to case 3.5 °C/W ** Thermal resistance ** Rating per element Mechanical Characteristics Mounting torque Weight A-423 Recommended torque 0.3 to 0.5 2.3 N·m g
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
