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BSS8-A-T
UGB8AT ... UGB8JT UGB8AT ... UGB8JT Superfast Efficient Rectifiers – Single Diode Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2012-10-09 1.2 4.5 Nominal current Nennstrom 10.25 ±0.5 ±0.2 4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type Typ 1 2 0.8 TO-263AB D2 PAK (D2) Weight approx. Gewicht ca. 5.08 4 1.6 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert K 1 2 3 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 50...600 V Plastic case Kunststoffgehäuse 3 1.3 0.4 8A Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 8 A UGB8AT 50 50 < 0.9 < 1.0 UGB8BT 100 100 < 0.9 < 1.0 UGB8DT 200 200 < 0.9 < 1.0 UGB8GT 400 400 < 1.15 < 1.25 UGB8JT 600 600 < 1.6 < 1.75 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 8A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 22 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 112/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 62 A2s Tj -50...+150°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 TS Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
BI
2000年に英国・TTエレクトロニクス社（TT Electronics）の傘下となりました。
TT Electronics
U.K.
BIテクノロジー（BI Technologies）は、1940年に米国で設立され、1962年の日本市場参入後、半世紀以上にわたって、厚膜／薄膜印刷抵抗及び巻線抵抗製品の固定・可変抵抗器を中心に、その他関連部品と各種製品の製造供給を行っている電子部品メーカーです。
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