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2SC1626-O
Inchange Semiconductor Product Specification 2SC1626 Silicon NPN Power Transistors · DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SA816 APPLICATIONS ·Designed for the driver stages of 30-50W high-fidelity amplifiers and medium speed switching up to 2A peak current PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector;connected to mounting base 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base voltage Open emitter 80 V VCEO Collector-emitter voltage Open base 80 V VEBO Emitter-base voltage Open collector 5 V 750 mA 2 A IC Collector current ICM Collector current-peak PT Total power dissipation Ta=25℃ 1.5 TC=25℃ 10 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -50~150 ℃
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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