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RJK5012DPP
RJK5012DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1545-0100 Rev.1.00 May 10, 2007 Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) D 1. Gate 2. Drain 3. Source G 1 2 3 S Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Body-drain diode reverse drain peak current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipation Channel to case thermal impedance Channel temperature Storage temperature Notes: 1. 2. 3. 4. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% Value at Tc = 25°C STch = 25°C, Tch ≤ 150°C Limited by maximum safe operation area REJ03G1545-0100 Rev.1.00 May 10, 2007 Page 1 of 6 Symbol VDSS VGSS IDNote4 ID (pulse)Note1 IDR IDR (pulse)Note1 IAPNote3 Ratings 500 ±30 12 24 12 24 4 Unit V V A A A A A EARNote3 Pch Note2 θch-c Tch Tstg 0.88 30 4.17 150 –55 to +150 mJ W °C/W °C °C
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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