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SI4463BDY-T1-E3
Si4463BDY Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A) 0.011 at VGS = - 10 V - 13.7 - 20 0.014 at VGS = - 4.5 V - 12.3 0.020 at VGS = - 2.5 V • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs - 10.3 S SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G Top View D Ordering Information: Si4463BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4463BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol 10 s Steady State Drain-Source Voltage VDS - 20 Gate-Source Voltage VGS ± 12 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 70 °C Continuous Source Current (Diode Conduction)a IS TA = 25 °C TA = 70 °C PD - 9.8 - 11.1 - 7.9 - 50 - 2.7 A - 1.36 3.0 1.5 1.9 0.95 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V - 13.7 IDM Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ID Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t ≤ 10 s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 35 42 70 84 17 Unit 21 °C/W Notes: a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 72789 S09-0393-Rev. C, 09-Mar-09 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
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