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RB471E
RB471E Schottky Barrier Diode Data sheet ● Outline VR 40 V Io 100 mA IFSM 1 A ● Features ● Inner Circuit High reliability Small mold type Super Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed T ape Reel Size(mm) 180 T aping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 T aping Code T148 Marking D3G Small current rectification ● Structure Epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC unless otherwise stated) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 40 40 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、60Hz half sin waveform、resistive load、per diode 100 mA Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、per diode、Ta=25ºC 1 A Junction temperature Storage temperature Tj Tstg - 125 -40 ～ 125 ℃ ℃ ● Characteristics (Ta = 25ºC unless otherwise stated) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals ※Caution： static electricity Value per diode Symbol Conditions V F1 V F2 IR Ct Min. Typ. Max. Unit IF=100mA IF=10mA V R=10V V R=10V f=1MHz - 6 0.55 0.34 30 - V V μA pF Attention www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 2016/09/26_Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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