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BCW68GLT1
BCW68GLT1 Transistors Si PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)45 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)800m Absolute Max. Power Diss. (W)225m Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)20n× @V(CBO) (V) (Test Condition)45 V(CE)sat Max. (V)1.5 @I(C) (A) (Test Condition)300m @I(B) (A) (Test Condition)30m h(FE) Min. Current gain.120 h(FE) Max. Current gain.400 @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition)20m @V(CE) (V) (Test Condition)10 C(obo) (Max) (F)18p @V(CB) (V) (Test Condition)10 @Freq. (Hz) (Test Condition)1.0M
ONS
ON Semiconductor
U.S.A
自動車、通信、コンピュータ、コンシューマ、工業、LED照明、医療、軍事/航空および電源アプリケーション向けの電源および信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・デバイスを含む半導体のサプライヤー。
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