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部品型式

RFD16N05L

製品説明
仕様・特性

RFD16N05L Transistors N-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)50 V(BR)GSS (V)10 I(D) Max. (A)16# I(DM) Max. (A) Pulsed I(D) @Temp (øC) IDM Max (@25øC Amb)45# @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)60# Minimum Operating Temp (øC)-55õ Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case2.08 Thermal Resistance Junc-Amb.100 V(GS)th Max. (V)1 V(GS)th (V) (Min)2 @(VDS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition)250u I(DSS) Max. (A)50u @V(DS) (V) (Test Condition)40 @Temp (øC) (Test Condition)150 I(GSS) Max. (A)100n

ブランド

HAR

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