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部品型式

HY62256ALT1-70

製品説明
仕様・特性

HY62256A Series 32Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION FEATURES The HY62256A is a high-speed, low power and 32,786 x 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hyundai's high performance CMOS process technology. The HY62256A has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS technology, supply voltages from 2.0 to 5.5volt has little effect on supply current in the data retention mode. The HY62256A is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. • • • • Fully static operation and Tri-state output TTL compatible inputs and outputs Low power consumption Battery backup(L/LL-part) - 2.0V(min.) data retention • Standard pin configuration - 28 pin 600 mil PDIP - 28 pin 330mil SOP - 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I (Standard and Reversed) Product Voltage Speed No. (V) (ns) HY62256A 5.0 55/70/85 Note 1. Current value is max. Standby Current(uA) L LL 1mA 100 25 Operation Current(mA) 50 Temperature (°C) 0~70(Normal) PIN CONNECTION 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 SOP Vcc /WE A13 A8 A9 A11 /OE A10 /CS I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 /OE A11 A9 A8 A13 /WE Vcc A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 A2 A1 A0 I/O1 I/O2 I/O3 Vss I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 /CS A10 TSOP-I(Reversed) BLOCK DIAGRAM ROW DECODER A0 ADD INPUT BUFFER Pin Function Chip Select Write Enable Output Enable Address Inputs Data Input/Output Power(+5.0V) Ground A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 Vcc /WE A13 A8 A9 A11 /OE TSOP-I(Standard) PIN DESCRIPTION Pin Name /CS /WE /OE A0 ~ A14 I/O1 ~ I/O8 Vcc Vss A10 /CS I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 Vss I/O3 I/O2 I/O1 A0 A1 A2 A14 /CS /OE /WE MEMORY ARRAY 512x512 I/O1 OUTPUT BUFFER PDIP A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O1 I/O2 I/O3 Vss SENSE AMP Vcc /WE A13 A8 A9 A11 /OE A10 /CS I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 WRITE DRIVER 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 COLUMN DECODER 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 I/O8 CONTROL LOGIC A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O1 I/O2 I/O3 Vss This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied. Rev.02 /Jun.99 Hyundai Semiconductor

ブランド

HYNIX

現況

2012年3月にSKハイニックスに社名変更した。

現ブランド

SKHYNIX

会社名

SK hynix Inc.

本社国名

韓国

事業概要

韓国内でサムスン電子に次いで2位の半導体メーカーである。 主力製品はDRAMとNAND型フラッシュメモリである。

供給状況

 
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データシート
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提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
HY62256ALT170 21505個    
HY62256ALT170 1228個    
HY62256ALT170 1138個    
HY62256ALT170 995個    
HY62256ALT170 600個    
HY62256ALT170 24個    
HY62256ALT1-70を取扱っています。

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