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部品型式

DSEI12-12A

製品説明
仕様・特性

DSEI 12-12A Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) VRSM VRRM V 1200 TO-220 AC V 1200 IFAV = 11 A VRRM = 1200 V trr = 50 s Type A C C  A DSEI 12-12A C A = Anode, C = Cathode Symbol Conditions Maximum Ratings IFRMS IFAVM  IFRM TVJ = TVJM TC = 100°C; rectangular, d = 0.5 tp < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM IFSM TVJ = 45°C; A A A t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine 75 80 A TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine 65 70 A TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine 28 27 A2s TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine t = 8.3 ms (60 Hz), sine I2t 25 11 150 21 20 A2s -40...+150 150 -40...+150 °C °C °C 78 W 0.4...0.6 Nm 2 g TVJ TVJM Tstg Ptot TC = 25°C Md mounting torque Weight typical Symbol Conditions Features • International standard package JEDEC TO-220 AC • Planar passivated chips • Very short recovery time • Extremely low switching losses • Low IRM-values • Soft recovery behaviour • Epoxy meets UL 94V-0 Applications • Antiparallel diode for high frequency switching devices • Anti saturation diode • Snubber diode • Free wheeling diode in converters and motor control circuits • Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) • Inductive heating and melting • Uninterruptible power supplies (UPS) • Ultrasonic cleaners and welders Characteristic Values typ. Advantages max. IR VR = VRRM VR = 0.8·VRRM VR = 0.8·VRRM TVJ = 25°C TVJ = 25°C TVJ = 125°C 250 150 4 µA µA mA VF IF = 12 A TVJ = 150°C TVJ = 25°C 2.2 2.6 V V VT0 rT For power-loss calculations only TVJ = TVJM 1.65 46.2 V mW 1.6 60 • High reliability circuit operation • Low voltage peaks for reduced protection circuits • Low noise switching • Low losses • Operating at lower temperature or space saving by reduced cooling K/W K/W K/W RthJC RthCH RthJA 0.5 IF = 1 A; -di/dt = 50 A/µs; VR = 30 V; TVJ = 25°C 50 70 ns IRM VR = 540 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/µs L < 0.05 µH; TVJ = 100°C 6.5 7.2 A  IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM. VR = 0.8·VRRM, duty cycle d = 0.5 Data according to IEC 60747 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. © 2004 IXYS All rights reserved 20071004 trr -3

ブランド

IXYS

会社名

IXYS Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、 1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB(アセア・ブラウンボベリ)のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております。 近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社(MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。

供給状況

 
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