HOME＞在庫検索＞在庫情報

部品型式

2SC1969

製品説明
仕様・特性

2SC1969 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)25 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)6.0 Absolute Max. Power Diss. (W)1.7 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)100uØ @V(CBO) (V) (Test Condition)30 V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.10 h(FE) Max. Current gain.180 @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)12 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

　
Not pic File
お求め製品2SC1969は、クレバーテックの営業STAFFが在庫確認を行いメールにて見積回答致します。

「見積依頼」ボタンを押してお気軽にお問合せください。

●お支払方法

宅配業者の代金引換又は商品到着後一週間以内の銀行振込となります。


お取引内容はこちら

0.1503570080