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2SB337
2SB337 Transistors Ge PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)30ã V(BR)CBO (V)40 I(C) Max. (A)7.0 Absolute Max. Power Diss. (W)12 Maximum Operating Temp (øC)100õ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.50 h(FE) Max. Current gain.165 @I(C) (A) (Test Condition)1.0 @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq300k¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(r) Max. (s) Rise time t(f) Max. (s) Fall time. Package StyleTO-3
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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