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部品型式

2N2541

製品説明
仕様・特性

2N2541 Transistors Ge PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)14 V(BR)CBO (V)30 I(C) Max. (A)1.0 Absolute Max. Power Diss. (W)215m Maximum Operating Temp (øC)100þ I(CBO) Max. (A)20u @V(CBO) (V) (Test Condition)25 h(FE) Min. Current gain.60 h(FE) Max. Current gain.250 @I(C) (A) (Test Condition)50m @V(CE) (V) (Test Condition).35 h(fe) Min. SS Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq10M¦ @I(C) (A) (Test Condition)1.0m @V(CE) (V) (Test Condition)6.0 C(obo) (Max) (F)20p @V(CB) (V) (Test Condition)6.0

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