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IRF8113TR
PD - 94637B IRF8113 HEXFET® Power MOSFET Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems VDSS RDS(on) max 30V 5.6m:@VGS = 10V 24nC A A D S Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG Qg Typ. 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 17.2 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13.8 IDM Pulsed Drain Current 135 f f c PD @TA = 25°C Power Dissipation PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG A Storage Temperature Range W 2.5 1.6 0.02 -55 to + 150 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA g Junction-to-Ambient fg Junction-to-Drain Lead Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 Notes through are on page 10 www.irf.com 1 6/30/05
IR
International Rectifier
U.S.A
パワー・マネジメント向けの半導体製品を中心とする電気機器の製造販売やソリューションを提供する。
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