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2SA1606E
2SA1606E Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)160 V(BR)CBO (V)180 I(C) Max. (A)1.5 Absolute Max. Power Diss. (W)15 Maximum Operating Temp (øC)140 I(CBO) Max. (A)10u @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.100 h(FE) Max. Current gain.200 @I(C) (A) (Test Condition)300m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time..29u® t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
SANYO
三洋電機株式会社
日本
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