大容量 シングルインライン型
3 Phase Bridge Diode
Large I o Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
D45XT80
Unit : mm
Weight : 22g typ.)
(
Package:TSB-5PIN
800V 45A
特長
品名
Type No.
• 3相ブリッジ
• 薄型 SIP パッケージ
• UL E142422
• 高放熱伝導性
+
①
∼∼ ∼
② ③④
−
⑤
+
SHINDENGEN
D45XT 80
0264
∼
∼
27
∼
−
管理番号
(例)
Control No.
Feature
•
•
•
•
7.5
45.7
3 Phase-Bridge
Thin-SIP
UL E142422
High Thermal Radiation
ロッ
ト記号
(例)
Date code
20
①
②
③
④
⑤
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
D45XT80
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
800
V
VRM
IO
IFSM
It
2
絶縁耐圧
Dielectric Strength
Vdis
締め付けトルク
Mounting Torque
TOR
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
VF
熱抵抗
Thermal Resistance
184
(J534-1)
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
IR
θjc
θja
50Hz 正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
フィン付き
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
Tc = 101℃
45.0
Ta = 27℃
4.5
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1素子当たりの規格値
1ms≦t<10ms, per diode
一括端子・ケース間,AC1分間印加
モールド部上面(端子と平行面)は除く
Terminals to case, AC 1 minute.
Except top(opposite side of the terminal side)of the mold case.
(推奨値:1.2 N・m)
(Recommended torque : 1.2 N・m)
IF = 15A,
VR = 800V,
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間
Junction to Case
接合部・ 周囲間
Junction to Ambient
A
400
A
800
A2s
2.5
kV
1.5
N・m
MAX
1.05
MAX
10
MAX
0.5
MAX
16
V
μA
℃/W