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部品型式

2SK530

製品説明
仕様・特性

2SK530 Transistors N-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)400 V(BR)GSS (V)20.0 I(D) Max. (A)5.0 I(DM) Max. (A) Pulsed I(D) @Temp (øC) IDM Max (@25øC Amb)8.0 @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)40.0 Minimum Operating Temp (øC)-55 Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case Thermal Resistance Junc-Amb. V(GS)th Max. (V)3.5 V(GS)th (V) (Min)1.5 @(VDS) (V) (Test Condition)10.0 @I(D) (A) (Test Condition)1.0m I(DSS) Max. (A)1.0m @V(DS) (V) (Test Condition)400 @Temp (øC) (Test Condition)25 I(GSS) Max. (A)100n

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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