製品説明 仕様・特性: SIM3 Diodes General Purpose UHF/MW Mixer Diode Military/High-RelN V(RRM)(V) Rep.Pk.Rev. Voltage BandX Test Freq9.5G Frequency Min. (Hz)8.2G Frequency Max. (Hz)12G V(FM) Max.(V) Forward Voltage Ct{Cj} Nom. (F) Junction Cap. NR Max. Noise Figure Max. (dB)11 Maximum Conversion Loss (dB) I(RM) Max.(A) Reverse Current Inp VSWR Max.1.4 If Imped. Min280 If Imped. Max.420 Power In (test) R(load) (Ohms) Zm (test) Burnout Abs Max. Semiconductor MaterialSilicon Maximum Operating Temp (øC)100’

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